เอกสารการประชุมวิชาการและเสนอผลงานวิจัย มหาวิทยาลัยทักษิณ ครั้งที่ 19 2552 - page 106

„µ¦ž¦³»¤ª·µ„µ¦Â¨³Áœ°Ÿ¨Šµœª·‹´¥ ¤®µª·š¥µ¨´¥š´„¬·– ‡¦´ÊŠš¸É 19 ž¦³‹Îµže 2552
4
Table 1 Thin film deposited condition
Parameter Thin films
Ag-alloy TiO2
Deposition method DC sputtering DC reactive sputtering
Sputtering target Ag-alloy (92.5%Ag-7.5%Cu) Ti (99.97%)
Substrate Glass, Si Glass, Si
Substrate temperature Room temp. Room temp.
ds-t 12 cm 12 cm
Base pressure 5.0x10 -5 mbar 5.0x10-5 mbar
Working pressure 3.5x10 -3 mbar 5.0x10-3 mbar
Cathode power 135 W 220 W
Flow rate of Ar 2 sccm 1 sccm
Flow rate of O2 - 4 sccm
Deposition rate 1.2 nm/sec 0.013 nm/sec
Fig. 1 Diagram of the sputtering system Fig. 2 A three-layer of a thin film system
Glass
TiO2 (d = 30 nm)
TiO2 (d = 30 nm)
Ag-alloy (d = vary)