การประชุมวิชาการและผลงานวิจัย มหาวิทยาลัยทักษิณ ครั้งที่ 17 2550 - page 488

2
อุปกรณและวิธีการ
เตรียมเซรามิก Zn 2SnO 4 โดยวิธีการผสมออกไซดแบบดั้งเดิ มจาก ZnO (ความบริสุ ทธิ์ รอยละ 99 ผลิตโดย
บริษั ท Scharlau chemi จํากัด) SnO2 (ความบริสุ ทธิ์ รอยละ 99 ผลิตโดยบริษัท Scharlau chemi จํากัด) ผสมกันโดย
สัดสวนโมล บดนาน 24 ชั่ วโมง เผาแคลไซน(calcined) ที่ อุณหภูมิ 1,000o C แลวนํามาบดอีกครั้งนาน 6 ชั่วโมง เติ ม
PVA 5% นําไปอัดเม็ด แลวเผาอบผลึกที่อุณหภูมิ 1,250oC นาน 3 ชั่ วโมง ตรวจสอบการเปลี่ยนเฟสด วย XRD
(Philips, X’ Pert Pro MPD) ที่ผลิตรั งสีเอกซจาก Cu K α โดย 5o<2θ<90o นํามาทําขั้วดวยกาวเงิน ศึกษาสมบั ติ
ไดอิเล็กตริกของเซรามิกดวย LRC(Agilent, HP4284A Precision) ที่ความถี่ 400 600 Hz และ 1 MHz สําหรั บความจุ
ไฟฟา (capacitance: C) คาคงที่ไดอิเล็กตริก e คํ านวณไดจากสมการ 2
14.4Ch
e f = เมื่ อ C เปนคาความจุไฟฟา(pF)
h เป นความหนาของตัวอยาง(cm) f เปนเสนผานศู นยกลางของอิ เล็กโตรด(cm) หาพลังงานกระตุน(activation
energy) จากจากสมการอาเรเนียส (Arrhenius equation) exp a
o
E
kT σ σ ⎛ ⎞
= −⎜ ⎟
⎝ ⎠ เมื่อ σเปนคาสภาพนํ า
ไฟฟ า ( ) 1
m −
Ω − a E เปนค าพลังงานกระตุน(eV) K คาคงที่โบลตซมั นน เทากับ 23 1.38 10 /J K − × T เปน
อุณหภูมิสั มบูรณ (K)
ผลการวิจัยและอภิ ปรายผล
Position[?2Theta]
10 20 30 40 50 60 70 80
Counts
0
1000
2000
0 0 1
0 1 2
0 1 -2
1 0 1
1 1 1
1 1 0
1 0 3 1 -2 -2
0 1 -5 1 -2 2
1 2 6
2 0 2
1 0 -8 2 -1 -6
2 2 12 0 -6
0 1 -9 2 -2 -9
1 4 8
prachitA
SearchUnitCellResult1
PeakList
00-024-1470
00-041-1445
รูปที่ 1 แสดงแบบรู ป XRD ของเซรามิก Zn2SnO4
รูปที่ 1 แสดงแบบรูป XRD ของเซรามิก Zn2SO4 ผานการเผาอบผลึกที่อุณหภูมิ 1,250 oC แสดงลักษณะ
ของยอด(peak) หลายผลึกสอดคลองกับฐานขอมูล(JCPDS: 024-1470) พบว ามีโครงสรางแบบลู กบาศก space group